一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称可控硅T。又由于可控硅初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件
可控硅击穿的原因有哪些?
本文主要讲了一下关于双向可控硅使用注意事项,一起来学习一下
可控硅坏的原因有哪些 1、电压击穿 可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。 2、电流损坏 电流损坏的
本文主要讲了一下关于双向可控硅的触发条件,希望对你的学习有所帮助。
本文主要讲了一下关于可控硅最后工艺封装的意义,希望对你的学习有所帮助。
按照图示器件设计可在Multisim中进行双向可控硅仿真测试。有人说在Multisim中双向可控硅仿真不出效果,原因是在选择器件时没要注意到在只是一个简单的操作步骤,multisim中选取合适的可
本文主要为单向可控硅最筒单电路,希望对你的学习有所帮助。
单向可控硅工作原理 单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个电极,由四层半导体PNPN构成。单向可控硅有三个PN结,其内部结构与等效电路符号如图4-10所示。单相可控硅可等效看成一个PNP型三极管Vl
描叙了电子设计中双向可控硅的工作原理。。。
