自从30多年前首次推出以来,MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进,目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件,它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。电荷平衡技术初是为能够产生超结(superjunction)MOSFET的高电压器件而开发的,现在该技术也扩展到更低的电压。虽然该技术大幅度降低了RDSON以及所有的连结电容,但它也使得后者更加非线性化。MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了,并且是显著地减少了,但是,计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得性能,已经