如图1(a)所示为PIN光电探测器基本结构,N型衬底上生长一层低掺杂本征层,在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触,其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射表面的反射以提高器件外量子效率,需要在表面涂一层抗反射膜。在这种结构中P型注入区要比本征区薄得多,这样就能使大部分入射光在本征区被吸收,既提高了量子效率又提高了速度。 图1(b)为端面入射结构,P型和N型接触分别做在衬底上下表面而将入射光改为在端面入射。这种结构消除了表面入射结构产生的P型区域的吸收,减小了入射光的损耗。此外它将光的入射方向和载流子的运动方向分开,因此我们可以把本征区做得很长