基于GaN器件的驱动设计方案

氮化镓(GaN)是接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。 正文 氮化镓(GaN)HEMT是电源转换器的典范,其端到端能效高于当今的硅基方案,轻松超过服务器和云数据中心严格的80+规范或USB PD外部适配器的欧盟行为准则Tier 2标准。虽然旧的硅基开关技术声称性能接近理想,可快速、低损耗开关,而GaN器件更接近但不可直接替代。为了充分发挥该技术的潜在优势,外部驱动电路必须与GaN器件