引言射频(RF)滤波器已成为电子系统小型化、集成化及芯片化的瓶颈之一。薄膜体声波谐振器(FBAR)是目前在500MHz~20GHz频段实现高性能滤波器芯片化的重要途径。FBAR是一种基于体声波(BAW)的新型电声谐振器,通过压电薄膜的逆压电效应将电能转换成声波并形成谐振。基于测试与性能表征的方法。另外,也未见文献报道低阻硅衬底对BAW 滤波器性能的影响。为了表征本课题组研制的L波段BAW 滤波器轮工艺样品的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪(VNA)测得其S 参数。为了从测得的S参数便捷地计算出BAW 滤波器的各项性能参数,在ADS软件环境下建立了BAW 滤波器性能参数的解算流程。此外,还根