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分析了半导体激光器光波经准直透镜的传输特性, 对影响准直光束质量的主要因素作了深入讨论, 并在实验上利用小口径大数值孔径透镜获得了高准直度的光束。
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
精确测量了半导体激光器远场分布并与新的远场理论模型作了细致的比较。结果表明新模型在很大的角度范围内与测量数据准确地符合。
光泵蓝光有机半导体激光器
本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。
用光束传播法(Beam Propagating Method)计算并分析了用半导体激光器端面抽运的1.084 μm Nd:Ti:LiNbO
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数
光纤耦合半导体激光器以其体积小、光束质量好、寿命长及性能稳定等优势在各领域得到广泛应用,主要作为光纤激光器和固体激光器的抽运源,也可直接应用于激光医疗、材料处理如熔覆、焊接等领域。受光纤激光器向高功率
日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定,同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术,
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