报道了一种由波长锁定878.6 nm半导体激光器抽运Nd:YVO4晶体的1064 nm激光器,当晶体吸收7.41 W的抽运功率时获得了5.75 W的1064 nm激光输出,相对于吸收功率的斜率效率为80.2%,光光转换率为77.6%,并且对波长锁定878.6 nm,非波长锁定的808 nm,878.6 nm抽运的激光器的温度特性进行了研究,结果表明利用波长锁定878.6 nm作为抽运源的激光器在10 °C~40 °C的温度变化范围内具有很好的输出稳定性。