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报道了基于半导体增益开关技术的皮秒脉冲掺铒激光器,该激光器可输出脉冲宽度为80 ps的光脉冲,具有重复频率可调的特点(100 kHz~20 MHz)。在重复频率为20 MHz时,经过主功率振荡放大器(
摘要:半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之问,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现
绍了半导体激光器及其使用要点
硅基蓝光半导体激光器
多年来,半导体激光器的实际直接调制带宽普遍承认在较低的GHz范围或者略低于2 GHz。然而,许多应用可能使用频率超过10 GHz范围的直接调制。宽带长途通信和高速计算机通信需有每秒几Gbit速率的脉冲
当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时,可以辐射周期为几个亳微秒的很短(0.1毫微秒)的强(0.1瓦)脉冲。单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个亳微秒、幅度仅为零点几亳安的电流脉冲触发。这一行
半导体激光器的SPICE模型半导体激半导体激光器的SPICE模型光器的SPICE模型半导体激光器的SPICE模型
在直接以微波频率调制半导体激光器方面已取得很大的进展。Ortel和加州理工学院联合研制出适于高速运转的GaAlAs激光器的最佳结构。这些激光二极管已能在超过8千兆赫的X频带下连续调制。实验和理论研究表
据日本电气公司透露,该公司所属的中心研究室已于1970年10月中旬制成室温连续运转的双异结半导体激光器。目前输出功率约为几十毫瓦,估计将来可以达到100毫瓦。效率在到2%之间,但有可能增加一个数量级。
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-
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