高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化

该晶体管习题答案,适用于电子科学与技术专业学生

传统的晶体管特性图示仪是利用电子扫描的原理,在示波管的荧光屏上直接显示各种半导体器件输出特性曲线的仪器,如三极管、二极管、场效应管等晶体管器件,主要组成是由阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、工作于X

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一、学习要求二、设计课题(P70)三、电路设计流程简介四、共射极放大器原理与设计举例五、电路安装与调试六、主要性能指标及其测试方法七、电路参数修改八、实验步骤与要求

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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声

功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。

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