利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的III-V族半导体InP和II-VI族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实验结果表明,CdTe的自旋弛豫过程比InP快,只有几个皮秒。随着激发光子能量的增加,自旋弛豫时间常数单调减小;但是随着载流子浓度的增加,自旋弛豫时间常数先增加到达最大值后再减小。这一实验结果和考虑库仑相互作用的全微观动力学自旋布洛赫方程的理论预言一致。