具有高迁移率GaN沟道层结构的优化AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在2英寸上生长。 MOCVD法制备直径为6H-SiC的半绝缘基板。 2英寸直径GaN HEMT晶片的平均薄层电阻低至261.9Ω/平方,电阻不均匀性低至2.23%。 原子力显微镜测量显示,在5×5μm的扫描区域中,光滑的AlGaN表面的均方根粗糙度为0.281 nm。 对于使用该材料制造的2.5 mm栅宽的单电池HEMT器件,最大漏极电流密度为1.31 A / mm,非本征跨导为450 mS / mm,电流增益截止频率为24 GHz,最大频率实现了54 GHz的振荡。 具有10mm总栅极宽度的四单元内部匹配GaN HEMTs器件在连续波(CW)条件下在8 GHz下表现出45.2 W的极高输出功率,功率附加效率为32.0%,功率为增益为6.2 dB。 据我们所知,内部匹配器件的输出功率是X波段基于GaN的HEMT的最新技术成果。