采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用,在ZnO纳米线表面镀上Au膜,发现其对ZnO纳米线的
ZnO和ZnSe都是重要的宽带隙II-VI族半导体材料。一维ZnO和ZnSe纳米材料是目前半导体一维纳米材料研究领域的热点,又由于二者之间的能带差,如果构成异质结构将会使材料的电子传输特性发生改变,因
Al2O3颗粒增强铝基复合材料界面研究进展,张建军,路丽英,综述了Al2O3颗粒增强铝基复合材料界面的研究进展,分析了界面类型、结合方式、化学反应、残余应力等各个方面,详细阐述了了Al2O3颗�
文中基于多种理论模型构建了4H-SiC SAM APD结构紫外光电探测器的基本物理模型。模拟研究了包括反向伏安特性、离化率、光谱响应在内的光电效应特性,并通过改变SAM结构各层厚度,得到了厚度与击穿电
图1(a)是一个典型的异质结PIN[13],P型和N型区域均为InP,本征层In1 ,Ga,As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配,并且窄的禁带宽度能使光谱响应达
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加,特别是当倍增区的禁带宽度较窄时,这种隧穿电流变得相当可观,严重影响了APD的噪声特性。为了减小这种隧穿电流,人们设计了一种将吸收区和倍增区分开(S
如图1(a)所示为PIN光电探测器基本结构,N型衬底上生长一层低掺杂本征层,在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底和表面做欧姆接触,其中表面的欧姆接触需要开窗以便于光线入射。为了减少入射
一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测器(Spatially-Modulated-Light Detector)结构被提出[57],如图1(a)
利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时
使用锥形光纤探针操纵ZnO纳米线
