埋在次氧化硅(SiOx)的介电基体中的纳米晶硅(nc-Si)两相材料系统对于光子和光伏器件(例如发光二极管和太阳能电池)具有重要的技术意义。 非晶态SiOx中的nc-Si是通过SiH4 + CO2 + H-2的低频(460 kHz)电感耦合等离子体(LFICP)合成的,而没有常见的高​​氢稀释途径。 复合材料系统的化学组成,微观结构和光学性质可通过CO2 / SiH4的React气体流速比来调节。 借助SEM和TEM表征工具观察到由于相分离而嵌入非晶SiOx中的nc-Si。 nc-SiOx:H中的晶体体积分数由嵌入的nc-Si颗粒的密度和a-SiOx封装壳层的出现来决定。 键构型分析显示了在结合氧的同时进行的氧化和脱氢过程。 根据所利用的高密度LFICP的独特特征,讨论了形成两相复合材料体系的基本机理和随React气体流量比的相演化。