X射线光电子能谱已用于研究n-SnO2 / p-GaN的能带偏移异质结。价带偏移(EV)和导带偏移(Ec)为分别确定为0.97±0.2 eV和0.77±0.2 eV,表明n-SnO2 / p-GaN异质结具有II型能带取向。