AlGaN基紫外发光二极管中多量子末级势垒效应的数值分析

在这项工作中,对具有AlGaN / AlGaN多量子最后势垒(MQLB)的基于AlGaN的紫外发光二极管的优势进行了数值研究。 研究了多量子阱中的光输出功率,内部量子效率,能带图,载流子浓度,辐射复合率和自发发射光谱。 仿真结果表明,与传统的相比,具有MQLB的结构在高电流下具有更高的输出功率和更低的效率下降。 根据数值模拟和分析,对器件特性的这些改进归因于p型区域的空穴注入效率的显着提高,这是由于空穴传输的有效势垒高度较低,空穴中的空穴消耗较低所致。 p侧以及MQLB区域中非常低的空穴总数。