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本文主要简述N沟道增强型场效应管的特性曲线、其他类型MOS管（N沟道耗尽型、P沟道增强型P沟道耗尽型）及场效应管的主要参数。
绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。图解1
该手册包含了世界上常用三极管的解释说明，并已制作成表格式，便于阅读和查询
包含大多数晶体管的参数（电压、电流以及频率等参数）。
晶体管电路设计(上) 上册是讲三极管的 不错的东西
铃木雅臣,[晶体管电路设计(上)]
在此贡献中，我们报告了不同沸点和退火温度的溶剂对TIPS-并五苯晶体管性能的影响。 几种溶剂已用于TIPS-并五苯薄膜加工中：甲苯，氯苯和四氢呋喃。 研究溶剂和温度的影响； 测量了TIPS-并五苯场效
电源技术[pic] 三轧厂使用IGBT型号定货号:FZ1200R16KF4S19909E图形:0[pic]定货号:FZ1800R16KF445/200749图形:[pic]--------------
SiC衬底的升华是大规模制备高质量石墨烯的一种有前途的方法。 如今,高质量外延石墨烯的生长仍然是一个关键问题。 在这项工作中,单层外延石墨烯生长在以硅为末端的4H-SiC(0001)衬底上。 通过引入
场效应管的型号_常用场效应管
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