本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET...MOSEFT分析:理解功率MOSFET
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率器件中加入故障保护电路,以免器件发生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分立电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全
功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率M
过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展成为蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象。且封装很简单,主要
本资源主要通过讲解MOSFET管的RDS的温度特性,纠正对MOS管的一些认识上误区
功率MOSFET雪崩击穿问题分析pdf,分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不在“热点”的
【TI】减小NexFETTM功率MOSFET震荡pdf,【TI】减小NexFETTM功率MOSFET震荡的方法
IR2130的内部结构如图3-2所示。由图可见,IR2130内部集成有一个电流比较器CC、一个电流放大器CA、一个自身工作电源前置电压检测器UVD、一个故障逻辑处理单元FL及一个锁存逻辑CL。除上述外
解释功率MOSFET 数据手册中提供的参数和图表,其目标是帮助工程师确定针对特定应用的最佳器件。例如,当主要考虑开关损耗时,便尽可能减少开关电荷；而主要考虑导通损耗时,则尽可能降低导通电阻。
RF 功率 MOSFET的应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出现改变了这一状况。和硅双极
