通过化学浴沉积(CBD)方法在ITO导电玻璃基板上生长的ZnO纳米线被用作光阳极,以组装CdS量子点敏化太阳能电池(QDSSC)。 研究了ZnO纳米线的生长机理和CdS QDSSCs的光电性能。 结果表明,c轴取向的种子层和生长过程均有助于ZnO纳米线沿[0001]方向的优先排列。 纳米线的平均长度和直径随着生长时间的增加而增加,并且最大长宽比在9 h时为20.56。 沉积在ZnO纳米线上的CdS量子点提高了吸收率,并将吸收范围扩展到了可见区域。 高纵横比的ZnO纳米线可有效提高CdS QDSSCs的能量转换效率(η),最佳η为0.401%,纵横比为20.56。 在这样的太阳能电池中,由于更多的电子-空穴对和ZnO纳米线的强光捕获作用,短路电流密度得到了显着改善。