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硅光子阵列波导光栅(AWG)是实现硅基光子集成的重要器件。根据不同器件结构和材料介绍了该器件的研究进展。器件结构主要包括常规对称型、反射型、级联型和多模干涉仪(MMI)输入型。与常规对称型阵列波导光栅
周期性纳米柱NIP非晶硅光伏电池使用碳纳米管支架。
研究了非晶态硒化镉薄膜时间分辨光致发光强度随时间的衰减和发光峰值能量随时间的变化,用载流子成对模型分析了光生载流子的热释和辐射复合初始动力学过程.
通过“显微拉曼分析”研究了在“常规”实验室条件下保存的标准硅样品晶圆表面上硅纳米晶体的存在，以提高激光辐照强度。 如此小的晶体与硅晶圆块之间的不良热连接使得在光谱中出现了两个非常不同的拉曼能带，并随着
氮化硅纳米Kong用于纳米粒子传感
通过以氢为React气体的React性脉冲激光烧蚀技术制备了氢化的纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜。 发现氢气压力对薄膜的结构和光致发光(PL)性能都有很大影响。 氢压力的增加导致膜从无定形的硅向na
采用标准光荧光方法, 在不加入探针或荧光、磷光染料的情况下, 测量了具有56个和29个碱基的两种核酸单链样品的光致发光特性; 该方法不会对样品造成破坏或污染。结果表明: 当激发波长在310~410 n
HgTe / HgCdTe超晶格中红外光致发光的机理
用直流磁控溅射法在190 °C玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下,分别在467 nm和7
PbS量子点的光致发光寿命和吸收光谱
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