我们提出了基于GaN的显式数值分析多量子阱平面耿氏二极管。 模拟证明了在多通道中产生的耿氏振荡可以彼此自我同步, 大大改善了平面的输出特性耿氏二极管归因于偶极子域的叠加每个频道。 优化的输出特性是在三通道耿氏二极管中获得,其中RF 输出功率约为6.45mW,DC-RF转换的基本频率下的效率约为2.39% 216.05 GHz,比标准频率大三倍以上单通道AlGaN / GaN Gunn二极管。 拟议的氮化镓类HEMT的具有更高电平的多通道平面耿氏二极管的输出特性显示出巨大的固态潜力毫米波和亚太赫兹的辐射源。