半导体产业发展到今天,主要建立在三代材料的基础上:兴起于20世纪50年代 的基于硅(Si)、锗(Ge)的第一代半导体;兴起于20世纪80年代的以砷化 镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体;以及兴起于20世纪末的 以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体。目前,第一代半 导体材料Si应用最为广泛,它构成了一切逻辑器件的基础,CPU、GPU所提供 的算力都离不开Si的功劳。第二代半导体主要用于高频高速场景,例如手机中 的射频电路。第三代半导体相比于前两代半导体具有更宽的禁带宽度,因此也 称作宽禁带半导体。更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压、更 快的开关频