集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说,硅材料和SOl(硅在绝缘体上)在基片处理成本,封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的特征尺寸一般为1~2 gm,也不过亚微米量级,而微电子目前65 nm的工艺已经开始了,这使得硅的制作工艺难度和成本均较其他材料占有优势。硅是制作无源光器件的选择,但对有源器件来说,还任重而道远。硅发光目前效率还较低,但也不断的有惊喜出现,发光器件如英特尔的拉曼放大器,美国俄亥俄州立大学的混合集成硅激光器等;由于硅探测的光波长约为850 nm,所以它在近红外波段无法应用。但如果与其他硅器件集