与常规的单极型1D-1R RRAM器件不同,提出了双极型1D-1R存储器件的概念,并通过将Ni / TiOx / Ti二极管和Pt / HfO2 / Cu双极RRAM单元集成在一起来成功抑制了不希望有的现象。在交叉点阵列中潜行电流。双极1D-1R存储器件不仅通过Ni / TiOx / Ti二极管的反向偏置电流实现了自兼容的电阻开关特性,而且还具有出色的双极性电阻开关特性,例如开关均匀,令人满意的数据保持能力和出色的可扩展性,这为高密度集成非易失性存储器应用提供了很大的潜力。