在这项研究中,我们自己的InAlAs / InGaAs InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有0-nm,50-nm和200-nm氮化硅(Si3N4)钝化膜的DC和RF特性已经得到了证明。进行了全面而系统的调查。 随着Si3N4钝化膜厚度的增加,该器件在输出电导率上表现出明显的改善,夹断电压也明显向正值漂移。 特别是,使用50 nm Si3N4膜钝化的器件表现出最高的非本征跨导和沟道电流。 直流特性的出现变化可以解释为钝化引起的带正电的表面状态增加了薄片载流子密度,而器件的载流子迁移率和寄生电阻却因长时间的高应力强度离子轰击而恶化。 另外,电流增益截止频率(f(T))和最大振荡频率(f(max))的下降可归因于钝化过程引起的寄生电容和电阻的急剧增加。 这项工作对于制造具有高性能的InP HEMT至关重要。