使用精确的密度泛函方法系统地研究了纯ZnO晶体和In掺杂的ZnO纳米片(ZnONS)的电子和光学性质。 根据状态的自旋相关密度和能带结构分析,通过在ZnO纳米片中掺杂铟来诱导半金属性能。 与纯ZnONS相比,掺In的ZnONS的光学特性(例如吸收,折射和反射率)显示出与介电函数相对应的红移。 由于In掺杂,观察到了费米能级附近的新跃迁峰,这是由杂质铟原子中电子的直接跃迁推导而来的。