HfO 2 /多层(ML)-MoS 2之间的能带对准使用高分辨率x射线光电子能谱进行了表征。 使用原子层沉积工具沉积HfO2,并通过化学气相沉积法生长ML-MoS2。 对于HfO2 / ML-MoS2接口,未经任何处理即可获得1.98 eV的价带偏移(VBO)和2.72 eV的导带偏移(CBO)。 用CHF3等离子体处理,发现HfO2 / ML-MoS2界面上的VBO和CBO分别为2.47 eV和2.23 eV。 认为能带对准差异主要由Hf 4d的核心能级的下移和Mo 3d或界面偶极子的核心能级的上移所致,这是由富含F的界面层引起的。( C)2015 AIP Publishing LLC。