本文展示了一种使用化学刻槽蓝宝石衬底的新型GaN横向外延过生长(LEO)技术。 讨论了衬底的制备,选择性生长机理和位错减少机理。 通过应用该技术,可以实现无翼倾斜的GaN LEO膜的质量提高和GaN LED的增强。