本文提出了一种新型的4H-SiC横向双极结型晶体管(LBJT)的结构,该晶体管在漂移区内具有基极场板和双RESURF。 基极区的集电极-基极结耗尽区扩展受到基极场板的限制。 因此,在雪崩击穿的条件下,可以实现LBJT的薄基极掺杂和低基极掺杂。 仿真结果表明,获得了0.32μm的薄基极和3 x 10(17)cm(-3)的基极掺杂,并且当漂移区长度为3309 V时,雪崩击穿电压为3309 V,对应的电流增益高达247。 30亩此外,对击穿电压(3357 V)可比的4H-SiC垂直BJT(VBJT)进行的研究表明,最小基极宽度0.25μm和高达8 x 10(17)cm(-3)的基极掺杂有助于最大电流增益仅为128。