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稀土甘氨酸丁二酮肟配合物的制备与表征,王坤杰,宋玉民,合成了3 种稀土甘氨酸丁二酮肟配合物, 其通式为RE (Gly ) 2 (DMG )Cl3•3H2O (RE=Ce, La, Eu, Gly =甘
利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(~5×1010cm-2)的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔
已经使用基于熔融的方法在没有机械振动的情况下制备了直径8毫米的溴化(TlBr)晶体,优先沿[110]方向取向。 根据X射线衍射,摇摆曲线,紫外吸收和透射光谱的特征,对晶体的质量和生长过程进行了分析。
具有接枝悬挂环糊精空腔的温敏膜的制备与表征，杨眉，褚良银，采用等离子体诱导接枝聚合法和化学接枝法在多孔Nylon-6膜基材上共同接枝温敏性材料N-异丙基丙烯酰胺（NIPAM）和修饰的β-环糊精，制备�
卵白蛋白的分离及卵白蛋白铁的制备与表征，聂珍媛，夏金兰，本论文对卵白蛋白的分离与纯化、卵白蛋白铁的制备和表征进行了实验研究。首先采用不同饱和度的氯化钠和硫酸铵对卵白蛋白进行了定
Al4SiC4陶瓷的高温强度，黄小萧，温广武，本文在空气中室温和1000~1300℃的测试温度范围内，对Al4SiC4陶瓷的弯曲强度进行测试分析，结果表明：Al4SiC4陶瓷的高温弯曲强度随测试温�
Fe3O4@ZnO@TiO2复合纳米空心球材料的制备与表征，刘久荣，王凤龙，在本研究中，我们首先使用简单易行的水热法在无模板存在下，合成了尺寸均一的Fe3O4空心球。在对合成的空心球进行了表面ZnO修
Fe3O4空心亚微米球的制备和吸波表征，包家兴，刘晓芳，采用溶剂热法制得具有空心结构的单分散Fe3O4亚微米球，该空心微球具有立方多晶结构，且尺寸均匀，直径约800nm。使用X线衍射仪(XRD)、�
NaY0.98-xF4:Ybx/Er0.02纳米晶体的制备及表征，李杰，武素丽，本文以高温油相法合成了NaY0.98-xF4:Ybx/Er0.02(x=0.2、0.4、0.6、0.8、0.98)纳米晶
前言 在功率元器件的发展中,主要半导体材料当然还是Si.同样在以Si为主体的LSI世界里,在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k,同时将电压也降低到1/k,力争更低功耗”的指导原理下,随着微细加工
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