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目前,为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流,设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性,也很难使用高压集成电路(HVIC)栅驱
单正向栅驱动IGBT是器件发展的巨大进步。IRGP30B120KD-E的C值很低,在单正向栅驱动条件下,其开关性能非常理想。器件不需要负偏置栅驱动便能可靠关断,即使在集电极的dV/dt为3V/ns。与
TrinityCore / AzerothCore / AshamaneCore / CMangos的简单注册页面 使用此脚本,您可以为游戏服务器创建网站。 支持: , , , 。 要求:PHP>
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