我们研究了半导体VO2薄膜的太赫兹(THz)传输特性及其在相变后的THz抑制行为。 通过溶胶-凝胶法沉积VO2薄膜,并提出了随着薄膜厚度的增加而发生表面纳米晶化的原位生长。 形态学引起的渗流导致半导体VO2薄膜具有较高的THz透明性,而更紧凑的纳米结构可以解释金属薄膜中THz转换比的提高。 这些结果可能会为THz器件应用的VO2薄膜的人工设计提供见识。