设计了一种基于光敏半导体砷化镓的主动式电磁诱导透明超材料。砷化镓的光电特性使该超材料结构中的外围圆环能在各个光照条件下响应不同频率的电磁波; 其与中心开口环耦合, 分别能够在1.47 THz与0.7 THz两个频点处产生强烈的电磁诱导透明效应。通过调节光照强度来改变砷化镓的电导率, 并拆分表面金属环结构进行对比, 分析了该超材料结构的光敏性能与其实现多波段电磁诱导透明效应的物理机理; 同时研究了砷化镓宽度、中心开口环开口大小与基底厚度对电磁诱导透明效应的影响。仿真结果表明, 该超材料结构能够在不同光照条件下, 于太赫兹波段的多个频点处产生高强度的波速迟滞效应, 并伴随较高的折射率灵敏度, 在太赫兹缓存器件与折射率传感领域有一定的应用价值。