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由于高质量自支撑氮化镓(GaN)衬底的出现,垂直型GaNonGaN器件获得了快速的发展并具有较高的功率等级和工作频率。本文讨论了垂直型GaN功率二极管的制作、机制和表征。通过制作高质量肖特基界面和
具有逐步增加的铟成分的InGaN势垒的InGaN发光二极管的效率下降
用于检测红外发光二极管的辐射强度的测试方案，适合正在开发红外遥控设备的同学
LED发光二极管闪烁电路图(一) 9013四只晶体三极管与LED电阻组成,电路简单易做,也可以扩展为多路闪烁,使用9V电压LED可三只串联。 LED发光二极管闪烁电路图(二)
用单片机的IO口控制LED亮灭，这是关于单片机开发的基础的小程序。
使用AT89C51单片机串口工作方式0,由串口发送控制码并传送到外接扩展芯片74LS164,74LS164的数据端接L8~L15(硬件已经连接好),按用户要求完成发光二极管的左闪烁,右闪烁,间歇闪烁,
用发光二极管模拟汽车信号灯，利用protues仿真汽车左转弯、右转弯、刹车、停靠、紧急情况信号灯亮灭，利用汇编编程，熟悉汇编编程。
C1815进行驱动发光二极管 电路使用常见的非门集成电路74LS04进行搭建，如果找不到，可以使用类似的IC，比如74HC04等型号。使用其中的两个门构成多谐振荡器，通过三极管C1815进行驱动发光二
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采用谱分割方法和分段模型对1.5μm波段的超辐射发光二极管(SLD)进行了仿真。为减小分段模型的分段数目和计算时间,对文献中常采用的计算每小段平均光功率(平均光子数密度)的3种主要方法进行了对比分析,
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