在本文中,我们演示了一种具有嵌入铝(2)O(3)高k电介质中的铝纳米晶体(Al-NCs)的电荷捕获存储器。 与金属/ Al(2)O(3)/ SiO(2)/ Si结构相比,该器件具有更大的存储窗口(+/- 12 V时为6.7V),更快的编程/擦除速度和良好的耐久性。 特别是,无论是在室温下还是在高温下(最高150摄氏度),数据保存都得到了极大的改善。 结果表明,具有在Al(2)O(3)膜中嵌入Al-NC的设备具有强大的潜力,可用于未来的高性能非易失性存储器应用。