实验上比较了808 nm和888 nm波长半导体激光器抽运时, Nd:YVO4内腔倍频单频激光器的最高输出功率和光-光转换效率,以及Nd:YVO4晶体热效应的差异。结果表明,888 nm直接抽运是提升高功率激光器性能的有效途径。鉴于888 nm激光抽运时吸收效率和无辐射跃迁过程之间的矛盾,从理论和实验上分析了掺杂浓度对单频激光器性能的影响。理论和实验结果均表明,采用掺杂浓度为0.8%(原子数分数)的Nd:YVO4晶体是实现高功率单频Nd:YVO4激光器的最佳选择。最终,通过采用888 nm波长半导体激光器抽运掺杂浓度为0.8%的Nd:YVO4增益介质,实现了最高功率为21.5 W的532 nm单频激光输出,光-光转换效率为31.6%。