通过水浴合成方法简易快速地在铜片基底上合成氧化铜纳米片阵列,10 min反应时间下合成的氧化铜纳米片阵列具有最高的初始放电比容量(629.1 mA·h·g -1)以及良好的循环特性(100次循环后仍保留初始容量的79.6%)。该阵列结构有效地解决了传统块体氧化铜材料作为锂离子电池负极材料在充电中体积膨胀的问题,同时缩短了锂离子在氧化铜晶格内的扩散距离,提高了氧化铜材料的比容量和氧化铜作为负极材料的性能。