IGBT(绝缘栅双极晶体管)是由BJT(双极型晶体管)和 MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,既具有 MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。