含钴阳极氧化铝膜的磁致偏光特性

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝模板,选用CoSO4溶液为电解液,用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备含钴纳米线有序阵列。分别用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪对多孔阳极氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析,结果显示阳极氧化铝膜内确有钴生成,且钴纳米线中的晶粒在生长过程中有(100)晶面的择优取向。搭建了磁致偏振特性测试系统,对样品在大范围磁场下的退偏现象进行了测试。 结果表明,含钴阳极氧化铝膜具有磁致偏光效应,达到磁饱和或接近磁饱和时,样品的的偏振性能最优,随着磁场的增强,出现了磁致退偏效应,并根据实验结果分析了磁致退偏效应的产生机理。