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松下电器公司半导体研究中心研究出用液相外延法(LPE)在InP衬底上沉积5~6层厚100埃InGaAs薄膜的超薄膜形成技术,并利用这种技术制成1.3 μm波段MQW(多层量子阱)型半导体激光器,首次实
介绍了2.0 μm波段掺铥连续单频光纤激光器的实验研究进展,以实现单频光纤激光器的关键技术为主线,总结了不同腔结构掺铥单频光纤激光振荡器的研究现状与发展方向。基于种子源主振荡功率放大(MOPA)结构进
包括co2激光器，固体激光器 氦氖激光器 气体激光器……的结构示意图
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75 μm波段。通
去年,Holmdel贝耳电话实验室首次使复合激光器在近红外运转,如今波长正在向紫外推进。这里的研究者循着一个系统的途径来产生较短波长的激光:首先,他们在所选用的原子中产生可见或红外激光跃迁;然后,在理
本文计算了双频激光器中氖原子3S2→2P4跃迁的复杂塞曼分裂,并分析了左旋和右旋圆偏振光拉姆下陷产生的条件。
介绍了1.55 μm波段的多量子阱(MQW)行波式半导体激光放大器的制备及其特性的测量.其测量结果.在注入脉冲电流条件下.内增益为20 dB.饱和输出峰值功率为40 mW.
气体激光器的现状与前景
详细的介绍DML激光器与EML激光的原理以及两者之间的区别
虽然在紫外范围工作的气体激光器具有短波所具有的独特优点,但由于其工作性能差,常常使其应用受到限制。但是,此种脉冲氮激光器却具有许多突出的特性——例如高峰值功率、高重复率、短脉冲持续期及优良的脉冲稳定性
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