利用非平衡格林函数结合密度泛函理论研究了硼(B)或磷(P)掺杂的烷二硫醇分子结在不同位置上的电子输运性质。 结果表明,B或P 掺杂可明显降低烷二硫醇分子结的电阻,并且当掺杂部位从侧面到中心变化时,直流电导逐渐增强。 即,B或P的掺杂效应不均匀,这对其掺杂部位敏感。 有趣的是,仅在掺B的分子结中才发现显着的负微分电阻行为,并且峰谷比对掺B的位点也很敏感。