传递矩阵法求解III族氮化物纤锌矿芯 多壳纳米线中的界面光子

硅纳米线的表面修饰和应用，郜玮玮，叶世勇，硅纳米线作为一种典型的一维纳米材料，其优异的光、电、力、热和化学性质，以及潜在的实际应用已越来越引起人们的关注，我国已经

利用聚焦离子束技术将金属线栅结构加工到一个工作在1550 nm波段的标准单模光纤的端面。金属线栅选用的金属是金,周期为 200 nm,尺寸远小于入射光的波长。根据有效介质理论,通过金属线栅结构的透射光

聚合物纳米光纤具有很好的器件构筑能力和良好的导光性能,对构筑超紧凑的微光子学器件和小型化集成光路十分理想。介绍了一种利用一步拉制技术制作的、具有良好的机械性能和光学性能的聚合物纳米光纤聚对苯二甲酸丙二

由Cu2 +和Mn2 +离子调制的可控光致发光-磁双编码纤锌矿型ZnS:Cu2 + Mn2 +纳米线

氮化硅纳米Kong用于纳米粒子传感

增大光场与气体的作用范围是提高光子晶体光纤(PCF)气体传感灵敏度的主要途径之一。首先, 利用多极方法模拟了空芯光子晶体光纤中的功率分数随波长的变化关系, 研究发现带隙型光子晶体光纤纤芯中光功率分数随

硅纳米多Kong柱阵列上生长的SiC纳米线的电容式湿度感测特性

多芯光纤是一种新型光纤，这种光纤的包层中存在距离较近的多根纤芯，纤芯之间可产生较强的耦合，从而使各个纤芯内的光场成为一个整体。可用于光放大、脉冲压缩、超连续产生、光场调制、光子弹产生等过程。正六边形7

介绍了用于外延生长III-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长III-V族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机

基于溶胶凝胶技术结合高温烧结法, 制备了折射率起伏小于1.5×10-4的Yb-Al-P-F高浓度掺杂石英芯棒, 采用堆垛法制备了纤芯数值孔径仅为0.02的75 μm芯径的光子晶体光纤。采用80 cm长