通过直接键合与抛光技术实现高质量超薄绝缘层上锗衬底上积累型与反型nMOSFET,赵毅,,本实验通过直接键合高质量体Ge与体Si,并采用机械减薄与化学机械抛光(CMP)技术,实现了具有高晶体质量的超薄绝缘层上锗(UTBB GeOI��