本文报道在半绝缘铟磷(InP)衬底上制作的槽状大光腔铟镓砷磷/铟磷(InGaAsP/InP)激光器.该结构采用了衬底开槽技术,用一步液相外延工艺来完成,制作简单,重复性好.这种器件将槽状激光器的完全隐埋实折射率导波机制与大光腔结构结合起来,既保持了槽状激光器的低阈值单模运转性能,又能发挥大光腔的高输出潜力.所制成的激光器阈值电流低达25mA,单面脉冲输出功率达200mW,并可实现单模运转.