提出了一种低比导通电阻(R-{{rm on},{rm sp}})的可集成绝缘体上硅(MOSFET)MOSFET,并通过仿真研究了其机理。 SOI MOSFET具有双沟槽和双栅极(DTDG SOI):漂移区中的氧化物沟槽,氧化物沟槽中的掩埋栅插图以及延伸到掩埋氧化物层的另一个沟槽栅(TG)。 首先,双栅极形成双传导通道,扩展的栅极扩大了垂直传导面积; 两者都会大大降低R-{{\ rm on},{\ rm sp}}。 第二,氧化物沟槽在垂直方向上折叠漂移区,导致减小的器件间距和R-{{rm on},{rm sp}}。 第三,氧化物沟槽引起多向耗尽。 这不仅增强了减小的表面场效应,从而重新塑化了电场分布,而且还增加了漂移掺杂浓度,从而降低了R-{{rm on},{rm sp}},并提高了击穿电压(BV )。 与传统的SOI横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)相比,DTDG MOSFET在相同的单元间距下将BV从39 V增加到92 V,或将R-{{\ rm on},{\ rm sp}}降低77通过模拟得出相同BV的%。 最后,同步扩展的TG充当高压集成电路中高/低压区域之间的隔离沟槽,从而