化学气相沉积(CVD)过程中的电子气体用来生成沉积薄膜;CVD 是利用真空状态下,多种气体混合并发生化学 反应最终将反应物沉积成膜的过程。不同的沉积薄膜需要不同的电子气体,在 SiO2 的沉积中,会使用到硅烷,原硅 酸四乙酯(TEOS)等等气体。在氮化物沉积层中,使用氨气(NH3),硅烷,SiCl2H2,在钨沉积中使用 WF6,硅烷, 而 TiN 薄膜制备中需要 TiCl4 和氨气等等 化学气相沉淀的反应物大部分都是以气体形态存在。比如在二氧化硅介质(SiO2)和氮化硅(Si3N4)介质的生 成过程中,常用的是 CVD 方法生成该层薄膜,辅助气体分别是高纯氧气,一氧化二氮,和氨气。在反应的过程