在这封信中,通过开尔文探针力显微镜(KFM)技术研究了随着超薄HfO2电荷俘获层厚度的减小而产生的电荷俘获存储器的保留特性。 实验结果表明,随着HfO2厚度的减小和温度的升高,保持性能变差。 根据从接触电势差中提取的总剩余电荷密度和侧向泄漏电荷密度,我们发现垂直电荷泄漏是电荷损失相对于侧向电荷重新分布的主要作用。 此外,在高温下从KFM分析中提取了有效的陷阱能,并得出结论,更深的HfO2层中的侧向电荷再分布受到抑制是由于陷阱能越深所致。