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基于0.13 μm CMOS工艺，设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用开关电容阵列使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声。采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度。仿真结果表明，
0 引言 随着无线通信事业的飞速发展,产生了多种通信技术标准,诸如Bluetooth,GSM,WiFi,ZigBee等,通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看,由于调谐范围
本文主要介绍了L波段宽带低相噪VCO的设计与制作
随着技术的不断发展,各种微波设备对振荡信号的相位噪声要求越来越高。目前在微波振荡源中广泛采用的倍频链方式,因需要多次倍频、放大、滤波而必须采用较多的有源器件从而产生了较大的附加噪声。对微波振荡源的相位
通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看,由于调谐范围宽、可靠性高的射频(RF)芯片具有广泛的使用价值,所以是当前无线通信系统的设计热点之一。而作为无线RF收发芯片的核心部件的压控
在雷达应用中，相位噪声是要求高杂波衰减的系统的关键性能指标。相位噪声是所有无线电系统都会关心的问题，但是雷达相比通信系统来说特别要求非常靠近载波频率的频偏位置的相位噪声性能。
摘要:本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO。采用HBT-PMOS交叉耦合互补结构,实现了中心频率为5
测试仪器制造商面临着一项挑战,即必需努力提供领先新兴技术一步的性能。这项任务尽管看起来很困难,不过,许多测量设备供应商通过与它们的设备和组件供应商以及客户密切合作,配合最新测试要求,仍取得了成功。对频
用于无线应用的基于PHEMT的宽带LNA
采用0.18μmRF CMOSCraft.io,设计了一个5GHz的宽带电感电容压控振荡器。该压控振荡器的电路结构替换互补交叉互换型,采用噪声隔离技术降低了噪声,并采用开关电容布局扩展了其调谐范围。后
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