本文通过将HP TiO2忆阻器纳入典范的Chen混沌系统中,提出并研究了基于忆阻器的混沌系统。 更精确地,引入具有一些适当边界条件的电荷控制忆阻器模型。 公式化了电荷和通过忆阻器的通量之间的关系,然后将其用作构造的混沌系统中的非线性项。 通过计算Lyapunov指数谱和Lyapunov维数,观察混沌吸引子,分析分叉,证明了忆阻器系统的丰富动力学行为。