之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的,发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电流组成。文章结尾引出了一个警示,这些漏电流随着温度升高而显著的增大。 PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数,每升高10°C,漏电流大约增大一倍。在figure1归一化曲线中可以看出,这种指数增长使得漏电流快速增加。到125°C时,漏电流相对室温下增长了约1000倍。 不同的二极管特性使得漏电流增加的速率不一样,两倍的漏电流可能在8°C到11°C左右的范围内发生。这种高温下的漏电流增长在一些电路中将会是重要问题,也可能是一个选择在室温下有着非常低输入偏置电流的FET或CMOS运放很好的理由。某些情况下