暂无评论
本文研究具有掩蔽和选择性热氧化(MSTO)结构条形GaAs-Ga1-xAlxAsDH激光器的偏振特性,发现这类器件同时输出强度相近、相位无关的TE和TM模,不同于通常的半导体激光器主要是TE模输出的情
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55 mW。
本文计算了掩蔽与选择性热氧化GaAs-GaAlAs多层结构中的应力与光弹性效应.提出介质洛埃镜干涉法,直接观测了GaAs上掩蔽生长热氧化膜引起的应力-光弹性效应的折射率分布,测量结果在定性和数量级上与
本文研究了集成GaAs-(GaAl)As双平面条形激光器的模随驱动电流和温度的变化,讨论和分析了通过波导耦合的两个有源腔的相互作用以及横模不稳定性对单纵模工作的影响.
本文利用简单模型综合考虑了带间跃迁、自由载流子吸收和带隙收缩对半导体激光器线宽展宽因子的影响,给出了半导体激光器线宽展宽因子的一种较为简便的计算方法.首先从理论上推导出线宽展宽因子的计算公式,分析并计
一种为光纤激光器泵浦的半导体激光器驱动电源。采用大功率MOS管IRL7833为调整管,利用集成运放的深度负反馈工作状态实现恒流输出。采用单片机AT89C51实现PID算法进行软件闭环控制,以缩短系统的
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的“镂空”现象,对湿法刻蚀工艺和
GaAs半导体激光器的化学和等离子刻面钝化
电路设计方案
介绍了研究分别限制结构的(SCH)InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱(QW)结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延(LPE)技术制造
暂无评论